Численное моделирование процессов электронного переноса в полупроводниковых структурах на основе Si, SiGe и A₃B₅: Автореф. дис. на соиск. учен. степ. канд. физ.-мат. наук: (05.27.01) / Физ.-технолог. ин-т Рос. акад. наук
Сохранено в:
| Вид документа: | |
|---|---|
| Автор: | Ершов, М. Ю. |
| Опубликовано: | М. , 1992 |
| Физические характеристики: |
17 с.
|
| Язык: | Русский |
ОФХ отдела книгохранения
| Всего : 1 , доступно: 1 | Доступно Заказать | ||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
|
|||||||||||