Численное моделирование процессов электронного переноса в полупроводниковых структурах на основе Si, SiGe и A₃B₅: Автореф. дис. на соиск. учен. степ. канд. физ.-мат. наук: (05.27.01) / Физ.-технолог. ин-т Рос. акад. наук
Guardado en:
| Formato: | |
|---|---|
| Autor principal: | Ершов, М. Ю. |
| Publicado: | М. , 1992 |
| Descripción Física: |
17 с.
|
| Lenguaje: | Русский |
ОФХ отдела книгохранения
| Всего : 1 , доступно: 1 | Disponible Hacer reserva | ||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
|
|||||||||||