Численное моделирование процессов электронного переноса в полупроводниковых структурах на основе Si, SiGe и A₃B₅: Автореф. дис. на соиск. учен. степ. канд. физ.-мат. наук: (05.27.01) / Физ.-технолог. ин-т Рос. акад. наук
Захавана ў:
| Тып дакумента: | |
|---|---|
| Аўтар: | Ершов, М. Ю. |
| Апублікавана: | М. , 1992 |
| Фізіч. характарыстыкі: |
17 с.
|
| Мова: | Руская |
ОФХ отдела книгохранения
| Усяго : 1 , даступна: 1 | Даступна Замовіць | ||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
|
|||||||||||