Численное моделирование процессов электронного переноса в полупроводниковых структурах на основе Si, SiGe и A₃B₅: Автореф. дис. на соиск. учен. степ. канд. физ.-мат. наук: (05.27.01) / Физ.-технолог. ин-т Рос. акад. наук
Guardado en:
| Formato: | |
|---|---|
| Autor principal: | Ершов, М. Ю. |
| Publicado: | М. , 1992 |
| Descripción Física: |
17 с.
|
| Lenguaje: | Русский |
| 00000nam0a22000001ia4500 | |||
| 001 | BY-NLB-rr35355430000 | ||
| 005 | 20070807201756.0 | ||
| 100 | # | # | $a 20070807d1992 y0rusy50 ca |
| 101 | 0 | # | $a rus |
| 102 | # | # | $a RU |
| 200 | 1 | # | $a Численное моделирование процессов электронного переноса в полупроводниковых структурах на основе Si, SiGe и A₃B₅ $e Автореф. дис. на соиск. учен. степ. канд. физ.-мат. наук $e (05.27.01) $f Физ.-технолог. ин-т Рос. акад. наук |
| 210 | # | # | $a М. $d 1992 |
| 215 | # | # | $a 17 с. |
| 300 | # | # | $a Библиогр.: с. 16-17 (8 назв.) |
| 686 | # | # | $a 05.27.01 $2 oksvnk |
| 700 | # | 1 | $a Ершов $b М. Ю. $g Максим Юрьевич |
| 801 | # | 1 | $a BY $b BY-HM0000 $c 20070807 $g psbo |