Рост и легирование GaAs(001) при низкотемпературной молекуярно-лучевой эпитаксии: Автореф. дис. на соиск. учен. степ. канд. физ.-мат. наук: 01.04.07 / Семягин Борис Рэмович
Gespeichert in:
| Format: | |
|---|---|
| 1. Verfasser: | Семягин, Б. Р. |
| Veröffentlicht: | Новосибирск , 2002 |
| Beschreibung: |
18 с.
|
| Sprache: | Русский |
| Schlagworte: |
ОФХ отдела книгохранения
| Всего : 1 , доступно: 1 | Verfügbar Bestellen | ||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
|
|||||||||||