Рост и легирование GaAs(001) при низкотемпературной молекуярно-лучевой эпитаксии: Автореф. дис. на соиск. учен. степ. канд. физ.-мат. наук: 01.04.07 / Семягин Борис Рэмович
Сохранено в:
Вид документа: | |
---|---|
Автор: | Семягин, Б. Р. |
Опубликовано: | Новосибирск , 2002 |
Физические характеристики: |
18 с.
|
Язык: | Русский |
ОФХ отдела книгохранения
Всего : 1 , доступно: 1 | Доступно Заказать | ||||||||||
---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
|