Рост и легирование GaAs(001) при низкотемпературной молекуярно-лучевой эпитаксии: Автореф. дис. на соиск. учен. степ. канд. физ.-мат. наук: 01.04.07 / Семягин Борис Рэмович

Сохранено в:
Шифр документа: 2Ад83610,
Вид документа: Авторефераты диссертаций
Автор: Семягин, Б. Р.
Опубликовано: Новосибирск , 2002
Физические характеристики: 18 с.
Язык: Русский
00000cam0a22000004ia4500
001 BY-NLB-br457643
005 20070615191925.8
100 # # $a 20030130d2002 u y0rusy50 ca 
101 0 # $a rus 
102 # # $a ru 
105 # # $a a m 001yy 
109 # # $a aa  $a ac 
200 1 # $a Рост и легирование GaAs(001) при низкотемпературной молекуярно-лучевой эпитаксии  $e Автореф. дис. на соиск. учен. степ. канд. физ.-мат. наук  $e 01.04.07  $f Семягин Борис Рэмович  $g [Ин-т физики полупроводников Сиб. отд-ния Рос. акад. наук] 
210 # # $a Новосибирск  $d 2002 
215 # # $a 18 с. 
300 # # $a Библиогр.: с. 18 (10 назв.). 
686 # # $a 29.19.03  $2 rugasnti 
686 # # $a 29.19.09  $2 rugasnti 
686 # # $a 29.19.11  $2 rugasnti 
686 # # $a 01.04.07  $2 oksvnk 
700 # 1 $3 BY-SEK-542498  $a Семягин  $b Б. Р.  $g Борис Рэмович 
801 # 0 $a BY  $b BY-HM0000  $c 20030130  $g psbo 
801 # 1 $a BY  $b BY-HM0000  $c 20060316  $g psbo