Оптические исследования точечных дефектов в ионно-имплантированном GaAs и GaAs, полученном низкотемпературной молекулярно-лучевой эпитаксией: автореферат диссертации на соискание ученой степени кандидата физико-математических наук: специальность 01.04.10 Физика полупроводников / Куницын Александр Евгеньевич

Сохранено в:
Шифр документа: 2Ад78736,
Вид документа: Авторефераты диссертаций
Автор: Куницын, А. Е.
Опубликовано: Санкт-Петербург , 2002
Физические характеристики: 20 с.
Язык: Русский
Предмет: