Оптические исследования точечных дефектов в ионно-имплантированном GaAs и GaAs, полученном низкотемпературной молекулярно-лучевой эпитаксией: Автореф. дис. на соиск. учен. степ. канд. физ.-мат. наук: 01.04.10 / Куницын Александр Евгеньевич

Сохранено в:
Шифр документа: 2Ад78736,
Вид документа: Авторефераты диссертаций
Автор: Куницын, А. Е.
Опубликовано: СПб. , 2002
Физические характеристики: 20 с.
Язык: Русский