Оптические исследования точечных дефектов в ионно-имплантированном GaAs и GaAs, полученном низкотемпературной молекулярно-лучевой эпитаксией: Автореф. дис. на соиск. учен. степ. канд. физ.-мат. наук: 01.04.10 / Куницын Александр Евгеньевич
Сохранено в:
Вид документа: | |
---|---|
Автор: | Куницын, А. Е. |
Опубликовано: | СПб. , 2002 |
Физические характеристики: |
20 с.
|
Язык: | Русский |