
Оптические исследования точечных дефектов в ионно-имплантированном GaAs и GaAs, полученном низкотемпературной молекулярно-лучевой эпитаксией: автореферат диссертации на соискание ученой степени кандидата физико-математических наук: специальность 01.04.10 Физика полупроводников / Куницын Александр Евгеньевич
Сохранено в:
Вид документа: | |
---|---|
Автор: | Куницын, А. Е. |
Опубликовано: | Санкт-Петербург , 2002 |
Физические характеристики: |
20 с.
|
Язык: | Русский |
Предмет: |