Разработка и исследование физико-технологических принципов создания микроэлектронных устройств на основе планарных многослойных гетероэпитаксиальных структур Si, CaF2 и CoSi2, сформированных методом молекулярно-лучевой эпитаксии: автореферат диссертации на соискание ученой степени кандидата технических наук: 05.27.06 ; 05.11.14 / Алтухов Андрей Александрович
Сохранено в:
| Вид документа: | |
|---|---|
| Автор: | Алтухов, А. А. |
| Опубликовано: | Москва , 2005 |
| Физические характеристики: |
25 с.
|
| Язык: | Русский |
| Предмет: |
ОФХ отдела книгохранения
| Всего : 1 , доступно: 1 | Доступно Заказать | ||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
|
|||||||||||