Разработка и исследование физико-технологических принципов создания микроэлектронных устройств на основе планарных многослойных гетероэпитаксиальных структур Si, CaF2 и CoSi2, сформированных методом молекулярно-лучевой эпитаксии: автореферат диссертации на соискание ученой степени кандидата технических наук: 05.27.06 ; 05.11.14 / Алтухов Андрей Александрович

Сохранено в:
Шифр документа: 2АД152125,
Вид документа: Авторефераты диссертаций
Автор: Алтухов, А. А.
Опубликовано: Москва , 2005
Физические характеристики: 25 с.
Язык: Русский
Предмет:
ПОЛУПРОВОДНИКОВАЯ ЭЛЕКТРОНИКА
МИКРОЭЛЕКТРОННЫЕ УСТРОЙСТВА
ГЕТЕРОСТРУКТУРЫ
КРЕМНИЕВЫЕ СТРУКТУРЫ
ЭЛЕКТРОФИЗИЧЕСКИЕ СВОЙСТВА
КРЭМНІЕВЫЯ СТРУКТУРЫ
ЭПІТАКСІЯЛЬНЫЯ ПЛЁНКІ
ЭЛЕКТРАФІЗІЧНЫЯ ЎЛАСЦІВАСЦІ
ЭПИТАКСИАЛЬНЫЕ ПЛЕНКИ
ПАЎПРАВАДНІКОВАЯ ЭЛЕКТРОНІКА
МІКРАЭЛЕКТРОННЫЯ ЎСТРОЙСТВЫ
ГЕТЭРАСТРУКТУРЫ
КРЕМНИЕВЫЕ ГЕТЕРОЭПИТАКСИАЛЬНЫЕ СТРУКТУРЫ
ТЕХНОЛОГИЯ ПРОИЗВОДСТВА
00000cam0a22000004ia4500
001 BY-NLB-br794842
005 20220415121955.0
100 # # $a 20060125d2005 u y0rusy50 ||||ca 
101 0 # $a rus 
102 # # $a ru 
105 # # $a a 001yy 
109 # # $a aa  $a ac 
200 1 # $a Разработка и исследование физико-технологических принципов создания микроэлектронных устройств на основе планарных многослойных гетероэпитаксиальных структур Si, CaF2 и CoSi2, сформированных методом молекулярно-лучевой эпитаксии  $e автореферат диссертации на соискание ученой степени кандидата технических наук  $e 05.27.06 ; 05.11.14  $f Алтухов Андрей Александрович  $g ОАО "Центральный научно-исследовательский технологический институт "Техномаш" 
210 # # $a Москва  $d 2005 
215 # # $a 25 с. 
300 # # $a Библиография: с. 22-25 (37 назв.). 
606 0 # $3 BY-NLB-ar24602  $a ПОЛУПРОВОДНИКОВАЯ ЭЛЕКТРОНИКА  $2 DVNLB 
606 0 # $3 BY-NLB-ar18376  $a МИКРОЭЛЕКТРОННЫЕ УСТРОЙСТВА  $2 DVNLB 
606 0 # $3 BY-NLB-ar7368  $a ГЕТЕРОСТРУКТУРЫ  $2 DVNLB 
606 0 # $3 BY-NLB-ar15092  $a КРЕМНИЕВЫЕ СТРУКТУРЫ  $2 DVNLB 
606 0 # $3 BY-NLB-ar39284  $a ЭЛЕКТРОФИЗИЧЕСКИЕ СВОЙСТВА  $2 DVNLB 
606 0 # $3 BY-NLB-ar15093  $a КРЭМНІЕВЫЯ СТРУКТУРЫ  $2 DVNLB 
606 0 # $3 BY-NLB-ar39621  $a ЭПІТАКСІЯЛЬНЫЯ ПЛЁНКІ  $2 DVNLB 
606 0 # $3 BY-NLB-ar39285  $a ЭЛЕКТРАФІЗІЧНЫЯ ЎЛАСЦІВАСЦІ  $2 DVNLB 
606 0 # $3 BY-NLB-ar39620  $a ЭПИТАКСИАЛЬНЫЕ ПЛЕНКИ  $2 DVNLB 
606 0 # $3 BY-NLB-ar24603  $a ПАЎПРАВАДНІКОВАЯ ЭЛЕКТРОНІКА  $2 DVNLB 
606 0 # $3 BY-NLB-ar18377  $a МІКРАЭЛЕКТРОННЫЯ ЎСТРОЙСТВЫ  $2 DVNLB 
606 0 # $3 BY-NLB-ar7369  $a ГЕТЭРАСТРУКТУРЫ  $2 DVNLB 
606 0 # $3 BY-NLB-ar5962305  $a КРЕМНИЕВЫЕ ГЕТЕРОЭПИТАКСИАЛЬНЫЕ СТРУКТУРЫ  $2 DVNLB 
606 0 # $3 BY-NLB-ar33870  $a ТЕХНОЛОГИЯ ПРОИЗВОДСТВА  $2 DVNLB 
686 # # $a 47.14.07  $2 rugasnti 
686 # # $a 29.19.16  $2 rugasnti 
686 # # $a 29.19.25  $2 rugasnti 
686 # # $a 05.27.06  $2 oksvnk 
686 # # $a 05.11.14  $2 oksvnk 
700 # 1 $3 BY-SEK-380797  $a Алтухов  $b А. А.  $g Андрей Александрович 
801 # 0 $a BY  $b BY-HM0000  $c 20060125  $g psbo 
801 # 1 $a BY  $b BY-HM0000  $c 20060901  $g psbo 

Схожие документы