Разработка основ технологии получения эпитаксиальных слоев GaN, InxGa1-xN и AlxGa1-xN методом газофазной эпитаксии из металлоорганических соединений для светоизлучающих структур: автореферат диссертации на соискание ученой степени кандидата технических наук: 05.27.06 / Ермошин Иван Геннадьевич
Guardado en:
| Formato: | |
|---|---|
| Autor principal: | Ермошин, И. Г. |
| Publicado: | Москва , 2009 |
| Descripción Física: |
20 с. : ил.
|
| Lenguaje: | Русский |
| Materias: |
ОФХ отдела книгохранения
| Всего : 1 , доступно: 1 | Disponible Hacer reserva | ||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
|
|||||||||||