Разработка основ технологии получения эпитаксиальных слоев GaN, InxGa1-xN и AlxGa1-xN методом газофазной эпитаксии из металлоорганических соединений для светоизлучающих структур: автореферат диссертации на соискание ученой степени кандидата технических наук: 05.27.06 / Ермошин Иван Геннадьевич
Сохранено в:
| Вид документа: | |
|---|---|
| Автор: | Ермошин, И. Г. |
| Опубликовано: | Москва , 2009 |
| Физические характеристики: |
20 с. : ил.
|
| Язык: | Русский |
| Предмет: |
ОФХ отдела книгохранения
| Всего : 1 , доступно: 1 | Доступно Заказать | ||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
|
|||||||||||