|
|
|
|
|
00000cam0a2200000 ia4500 |
| 001 |
BY-NLB-br0000411116 |
| 005 |
20211213160531.0 |
| 100 |
# |
# |
$a 20091022d2009 k y0rusy50 ca
|
| 101 |
0 |
# |
$a rus
|
| 102 |
# |
# |
$a RU
|
| 105 |
# |
# |
$a a m 000yy
|
| 109 |
# |
# |
$a ac
$a aa
|
| 200 |
1 |
# |
$a Разработка основ технологии получения эпитаксиальных слоев GaN, InxGa1-xN и AlxGa1-xN методом газофазной эпитаксии из металлоорганических соединений для светоизлучающих структур
$e автореферат диссертации на соискание ученой степени кандидата технических наук
$e 05.27.06
$f Ермошин Иван Геннадьевич
$g [Федеральное государственное образовательное учреждение высшего профессионального образования "Национальный исследовательский технологический университет "МИСиС", ЗАО "Элма-Малахит", ДО ОАО "Концерн Энергомера"]
|
| 210 |
# |
# |
$a Москва
$d 2009
|
| 215 |
# |
# |
$a 20 с.
$c ил.
|
| 320 |
# |
# |
$a Библиография: с. 20 (11 назв.)
|
| 606 |
0 |
# |
$3 BY-NLB-ar39622
$a ЭПИТАКСИЯ (физ.)
$2 DVNLB
|
| 606 |
0 |
# |
$3 BY-NLB-ar7368
$a ГЕТЕРОСТРУКТУРЫ
$2 DVNLB
|
| 606 |
0 |
# |
$3 BY-NLB-ar58871
$a СВЕТОДИОДЫ
$2 DVNLB
|
| 606 |
0 |
# |
$3 BY-NLB-ar32980
$a ТВЕРДЫЕ РАСТВОРЫ
$2 DVNLB
|
| 606 |
0 |
# |
$3 BY-NLB-ar27159
$a РАДИОЭЛЕКТРОННАЯ ПРОМЫШЛЕННОСТЬ
$2 DVNLB
|
| 686 |
# |
# |
$a 05.27.06
$2 oksvnk
|
| 686 |
# |
# |
$a 47.13
$v 6
$2 rugasnti
|
| 686 |
# |
# |
$a 47.33.33
$v 6
$2 rugasnti
|
| 700 |
# |
1 |
$a Ермошин
$b И. Г.
$g Иван Геннадьевич
|
| 801 |
# |
0 |
$a BY
$b BY-HM0000
$c 20091022
$g psbo
|
