Электронно-ионные переходные процессы в приграничных слоях систем Si-SiO2 и развитие методов диагностики МДП-структур: Автореф. дис. на соиск. учен. степ. д-ра физ.-мат. наук: (01.04.10) / Ленингр. политехн. ин-т им. М. И. Калинина
Сохранено в:
Вид документа: | |
---|---|
Автор: | Сёмушкин, Г. Б. |
Опубликовано: | Л. , 1990 |
Физические характеристики: |
32 с.
|
Язык: | Русский |
ОФХ отдела книгохранения
Всего : 1 , доступно: 1 | Доступно Заказать | ||||||||||
---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
|