Электронно-ионные переходные процессы в приграничных слоях систем Si-SiO2 и развитие методов диагностики МДП-структур: Автореф. дис. на соиск. учен. степ. д-ра физ.-мат. наук: (01.04.10) / Ленингр. политехн. ин-т им. М. И. Калинина
Сохранено в:
| Вид документа: | |
|---|---|
| Автор: | Сёмушкин, Г. Б. |
| Опубликовано: | Л. , 1990 |
| Физические характеристики: |
32 с.
|
| Язык: | Русский |
| 00000cam0a22000001ia4500 | |||
| 001 | BY-NLB-rr30459560000 | ||
| 005 | 20231124112042.0 | ||
| 100 | # | # | $a 20070615d1990 y0rusy50 ||||ca |
| 101 | 0 | # | $a rus |
| 102 | # | # | $a RU |
| 200 | 1 | # | $a Электронно-ионные переходные процессы в приграничных слоях систем Si-SiO2 и развитие методов диагностики МДП-структур $e Автореф. дис. на соиск. учен. степ. д-ра физ.-мат. наук $e (01.04.10) $f Ленингр. политехн. ин-т им. М. И. Калинина |
| 210 | # | # | $a Л. $d 1990 |
| 215 | # | # | $a 32 с. |
| 300 | # | # | $a Библиогр.: с. 31-32 (21 назв.). Для служеб. пользования |
| 686 | # | # | $a 01.04.10 $2 oksvnk |
| 700 | # | 1 | $a Сёмушкин $b Г. Б. $g Георгий Борисович |
| 801 | # | 1 | $a BY $b BY-HM0000 $c 20070615 $g psbo |