Использование протонного облучения для улучшения свойств полупроводниковых структур с барьером Шоттки на основе GaAs / Л.Грубчин,А.П.Кобзев,Р.Шандрик,Я.Шафранкова
Guardado en:
| Formato: | |
|---|---|
| Publicado: | Дубна : ОИЯИ , 1993 |
| Descripción Física: |
7с.
|
| Lenguaje: | Русский |
| Colección: |
Сообщ.Объед.ин-та ядер.исслед.
Р14-93-75 |
| Materias: |
ОФХ отдела книгохранения
| Всего : 1 , доступно: 1 | Disponible Hacer reserva | ||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
|
|||||||||||