|
|
|
|
|
00000cam0a22000004ib4500 |
| 001 |
BY-NLB-br16581 |
| 005 |
20231013142542.0 |
| 010 |
# |
# |
$d 10р.22к.
|
| 100 |
# |
# |
$a 19930625d1993 u y0rusy50 ||||ca
|
| 101 |
0 |
# |
$a rus
|
| 105 |
# |
# |
$a a 000yy
|
| 109 |
# |
# |
$a aa
|
| 200 |
1 |
# |
$a Использование протонного облучения для улучшения свойств полупроводниковых структур с барьером Шоттки на основе GaAs
$f Л.Грубчин,А.П.Кобзев,Р.Шандрик,Я.Шафранкова
|
| 210 |
# |
# |
$a Дубна
$c ОИЯИ
$d 1993
|
| 215 |
# |
# |
$a 7с.
|
| 225 |
1 |
# |
$a Сообщ.Объед.ин-та ядер.исслед.
$v Р14-93-75
|
| 345 |
# |
# |
$9 310экз.
|
| 606 |
0 |
# |
$3 BY-NLB-ar38189
$a ШОТТКИ БАРЬЕРЫ
$2 DVNLB
|
| 606 |
0 |
# |
$3 BY-NLB-ar6882
$a АРСЕНИД ГАЛЛИЯ
$2 DVNLB
|
| 606 |
0 |
# |
$3 BY-NLB-ar26252
$a ПРОТОННОЕ ОБЛУЧЕНИЕ
$2 DVNLB
|
| 606 |
0 |
# |
$3 BY-NLB-ar24597
$a ПАЎПРАВАДНІКОВЫЯ СТРУКТУРЫ
$2 DVNLB
|
| 606 |
0 |
# |
$3 BY-NLB-ar6883
$a АРСЕНІД ГАЛІЮ
$2 DVNLB
|
| 606 |
0 |
# |
$3 BY-NLB-ar38190
$a ШОТКІ БАР'ЕРЫ
$2 DVNLB
|
| 606 |
0 |
# |
$3 BY-NLB-ar24596
$a ПОЛУПРОВОДНИКОВЫЕ СТРУКТУРЫ
$2 DVNLB
|
| 606 |
0 |
# |
$3 BY-NLB-ar2764600
$a СВОЙСТВА МАТЕРИАЛОВ
$2 DVNLB
|
| 606 |
0 |
# |
$3 BY-NLB-ar2764601
$a УЛАСЦІВАСЦІ МАТЭРЫЯЛАЎ
$2 DVNLB
|
| 606 |
0 |
# |
$3 BY-NLB-ar21129
$a ОБЛУЧЕНИЕ
$2 DVNLB
|
| 610 |
0 |
# |
$a Металл-полупроводник-металл
|
| 610 |
0 |
# |
$a Пратоннае выпраменьванне
|
| 675 |
# |
# |
$a 537.311.322:537
$v 3
$z rus
|
| 686 |
# |
# |
$a 29.19.31
$2 rugasnti
|
| 801 |
# |
0 |
$a BY
$b BY-HM0000
$c 19930625
$g psbo
|
| 801 |
# |
1 |
$a BY
$b BY-HM0000
$c 20060314
$g psbo
|
