Использование протонного облучения для улучшения свойств полупроводниковых структур с барьером Шоттки на основе GaAs / Л.Грубчин,А.П.Кобзев,Р.Шандрик,Я.Шафранкова
Сохранено в:
| Вид документа: | |
|---|---|
| Опубликовано: | Дубна : ОИЯИ , 1993 |
| Физические характеристики: |
7с.
|
| Язык: | Русский |
| Серия: |
Сообщ.Объед.ин-та ядер.исслед.
Р14-93-75 |
| Предмет: |
ОФХ отдела книгохранения
| Всего : 1 , доступно: 1 | Доступно Заказать | ||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
|
|||||||||||