
ЛПД из GaAs с барьером Шоттки / О. Ф. Шустова, В. П. Снегирев
Gespeichert in:
Format: | |
---|---|
1. Verfasser: | Шустова, О. Ф. |
Veröffentlicht: | Москва : ЦНИИ "Электроника" , 1974 |
Beschreibung: |
28, [2] с. : ил. ; 21 см
|
Sprache: | Русский |
Schriftenreihe: |
Обзоры по электронной технике
1974, вып. 5 (226) |
1974, Вып.5: ЛПД из GaAs с барьером Шоттки / Шустова О. Ф., Снегирев В. П.
Всего : 1 , доступно: 1 | Verfügbar Bestellen | ||||||||||
---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
|