Влияние y-радиации и СВЧ излучения на параметры GaAs полевых транзисторов с барьером Шоттки: Автореф. дис. на соиск. учен. степ. канд. техн. наук: 05.27.06 / Ренгевич Алексей Евгеньевич
Сохранено в:
| Вид документа: | |
|---|---|
| Автор: | Ренгевич, А. Е. |
| Опубликовано: | Киев , 2001 |
| Физические характеристики: |
20 с.
|
| Язык: | Русский |
| Предмет: |
ОФХ отдела книгохранения
| Всего : 1 , доступно: 1 | Доступно Заказать | ||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
|
|||||||||||