ЛПД из GaAs с барьером Шоттки / О. Ф. Шустова, В. П. Снегирев

Сохранено в:
Шифр документа: 126489-4,
Вид документа: Периодические издания
Автор: Шустова, О. Ф.
Опубликовано: Москва : ЦНИИ "Электроника" , 1974
Физические характеристики: 28, [2] с. : ил. ; 21 см
Язык: Русский
Серия: Обзоры по электронной технике 1974, вып. 5 (226)
00000cam2a22000003is4500
001 BY-NLB-br0001365475
005 20170309133049.0
100 # # $a 20170309d1974 y0rusy50 ||||ca 
101 0 # $a rus 
102 # # $a RU 
105 # # $a a ||||000yy 
200 1 # $a ЛПД из GaAs с барьером Шоттки  $f О. Ф. Шустова, В. П. Снегирев 
210 # # $a Москва  $c ЦНИИ "Электроника"  $d 1974 
215 # # $a 28, [2] с.  $c ил.  $d 21 см 
225 1 # $a Обзоры по электронной технике  $i Электроника СВЧ  $f Министерство электронной промышленности СССР  $v 1974, вып. 5 (226) 
320 # # $a Библиография: с. 25―28 (40 назв.) 
345 # # $9 1150 экз. 
461 # 1 $1 001BY-NLB-br0000420969  $1 2001   $v 1974, вып. 5 
700 # 1 $a Шустова  $b О. Ф.  $g Ольга Федоровна 
701 # 1 $a Снегирев  $b В. П.  $g Вячеслав Петрович 
801 # 0 $a BY  $b BY-HM0000  $c 20170309  $g psbo