Исследование работы прямосмещенного P-Π перехода в широкозонных полупроводниках на основе твердых растворов GaAs{н.инд.}(1-х)Р{н.инд.}(x) и AL{н.инд.}(x)Ga{н.инд.}(1-x)As: Автореф. дис. на соиск. учен. степ. канд. физ.-мат. наук: (01.04.10)
Сохранено в:
| Вид документа: | |
|---|---|
| Автор: | Гудков, И. Д. |
| Опубликовано: | М. , 1982 |
| Физические характеристики: |
23 с.
|
| Язык: | Русский |
| 00000nam0a22000001ia4500 | |||
| 001 | BY-NLB-rr34142880000 | ||
| 005 | 20070727154040.0 | ||
| 100 | # | # | $a 20070727d1982 y0rusy50 ca |
| 101 | 0 | # | $a rus |
| 102 | # | # | $a RU |
| 200 | 1 | # | $a Исследование работы прямосмещенного P-Π перехода в широкозонных полупроводниках на основе твердых растворов GaAs{н.инд.}(1-х)Р{н.инд.}(x) и AL{н.инд.}(x)Ga{н.инд.}(1-x)As $e Автореф. дис. на соиск. учен. степ. канд. физ.-мат. наук $e (01.04.10) |
| 210 | # | # | $a М. $d 1982 |
| 215 | # | # | $a 23 с. |
| 300 | # | # | $a В надзаг.: Моск. ин-т электрон. техники. Библиогр.: с. 22-23 (8**2 назв.). Для служеб. пользования |
| 686 | # | # | $a 01.04.10 $2 oksvnk |
| 700 | # | 1 | $a Гудков $b И. Д. $g Игорь Дмитриевич |
| 801 | # | 1 | $a BY $b BY-HM0000 $c 20070727 $g psbo |