Получение и исследование пленок Al{н.инд.}(x)Ga{н.инд.}(1-x)As и In{н.инд.}(x)Ga{н.инд.}(1-x)As на широкозонных подложках (GaP; GaAs с целью использования в оптоэлектронных устройствах: Автореф. дис. на соиск. учен. степени канд. физ.-мат. наук: (01.04.07) / АН СССР. Сиб. отд-ние. Совет секции общей и прикл. физики Объедин. учен. совета по физ.-мат. и техн. наукам
Сохранено в:
| Вид документа: | |
|---|---|
| Автор: | Зембатов, Х. Б. |
| Опубликовано: | Новосибирск , 1976 |
| Физические характеристики: |
23 с. : граф.
|
| Язык: | Русский |
ОФХ отдела книгохранения
| Всего : 1 , доступно: 1 | Доступно Заказать | ||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
|
|||||||||||