Исследование свойств поверхностно-барьерных GaAs{н.инд.}(1-х)Р{н.инд.}(x) и Ga{н.инд.}(1-x)Al{н.инд.}(x)As-структур и фотоприемников на их основе: (01.04.01): Автореф. дис. на соиск. учен. степени канд. физ.-мат. наук / АН ТССР. Физ.-техн. ин-т

Сохранено в:
Шифр документа: АЯ325996,
Вид документа: Авторефераты диссертаций
Автор: Мелебаев, Д.
Опубликовано: Ашхабад , 1978
Физические характеристики: 20 с.
Язык: Русский
00000nam0a22000001ia4500
001 BY-NLB-rr15551250000
005 20070404144753.0
021 # # $a RU  $b [78-5551а] 
100 # # $a 20070404d1978 y0rusy50 ca 
101 0 # $a rus 
102 # # $a TM 
200 1 # $a Исследование свойств поверхностно-барьерных GaAs{н.инд.}(1-х)Р{н.инд.}(x) и Ga{н.инд.}(1-x)Al{н.инд.}(x)As-структур и фотоприемников на их основе  $e (01.04.01)  $e Автореф. дис. на соиск. учен. степени канд. физ.-мат. наук  $f АН ТССР. Физ.-техн. ин-т 
210 # # $a Ашхабад  $d 1978 
215 # # $a 20 с. 
300 # # $a Список лит.: с. 18-20 
686 # # $a 01.04.01  $2 oksvnk 
700 # 1 $a Мелебаев  $b Д.  $g Даулбай 
801 # 1 $a BY  $b BY-HM0000  $c 20070404  $g psbo