Исследование свойств поверхностно-барьерных GaAs{н.инд.}(1-х)Р{н.инд.}(x) и Ga{н.инд.}(1-x)Al{н.инд.}(x)As-структур и фотоприемников на их основе: (01.04.01): Автореф. дис. на соиск. учен. степени канд. физ.-мат. наук / АН ТССР. Физ.-техн. ин-т
Сохранено в:
Вид документа: | |
---|---|
Автор: | Мелебаев, Д. |
Опубликовано: | Ашхабад , 1978 |
Физические характеристики: |
20 с.
|
Язык: | Русский |
ОФХ отдела книгохранения
Всего : 1 , доступно: 1 | Доступно Заказать | ||||||||||
---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
|