Исследование свойств поверхностно-барьерных GaAs{н.инд.}(1-х)Р{н.инд.}(x) и Ga{н.инд.}(1-x)Al{н.инд.}(x)As-структур и фотоприемников на их основе: (01.04.01): Автореф. дис. на соиск. учен. степени канд. физ.-мат. наук / АН ТССР. Физ.-техн. ин-т

Сохранено в:
Шифр документа: АЯ325996,
Вид документа: Авторефераты диссертаций
Автор: Мелебаев, Д.
Опубликовано: Ашхабад , 1978
Физические характеристики: 20 с.
Язык: Русский

ОФХ отдела книгохранения

Всего : 1 , доступно: 1 Доступно  Заказать

Информация об экземплярах

Шифр Фонд Место нахождения Статус экземпляра Читальный зал
АЯ325996 ОФХ отдела книгохранения (039) 11:4:2:56 СВОБОДЕН Рекомендованный ЧитЗал