Влияние заряженных дефектов на физические свойства сегнетоэлектриков вблизи структурных фазовых переходов: Автореф. дис. на соиск. учен. степ. канд. физ.-мат. наук: (01.04.18) / Моск. ин-т радиотехники, электроники и автоматики
Сохранено в:
| 格式: | |
|---|---|
| 主要作者: | Исавердиев, А. А. |
| 出版: | М. , 1989 |
| 實物描述: |
19 с.
|
| 語言: | Русский |
ОФХ отдела книгохранения
| Всего : 1 , доступно: 1 | 可用 預訂 | ||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
|
|||||||||||