Влияние заряженных дефектов на физические свойства сегнетоэлектриков вблизи структурных фазовых переходов: Автореф. дис. на соиск. учен. степ. канд. физ.-мат. наук: (01.04.18) / Моск. ин-т радиотехники, электроники и автоматики
Сохранено в:
| Вид документа: | |
|---|---|
| Автор: | Исавердиев, А. А. |
| Опубликовано: | М. , 1989 |
| Физические характеристики: |
19 с.
|
| Язык: | Русский |
ОФХ отдела книгохранения
| Всего : 1 , доступно: 1 | Доступно Заказать | ||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
|
|||||||||||