Lattice deformation studies in high energy ions implanted silicon by means of various X-ray methods / [Auth.]:K.Wieteska,W.Wierzchowski,W.Graeff
Захавана ў:
| Тып дакумента: | |
|---|---|
| Апублікавана: | Dubna , 1996 |
| Фізіч. характарыстыкі: |
14 p.
|
| Мова: | Англійская |
| Серыя: |
Prepr.
E14-96-185) |
| Прадмет: |
ОФХ отдела книгохранения
| Усяго : 1 , даступна: 1 | Даступна Замовіць | ||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
|
|||||||||||