Lattice deformation studies in high energy ions implanted silicon by means of various X-ray methods / [Auth.]:K.Wieteska,W.Wierzchowski,W.Graeff
Сохранено в:
| Вид документа: | |
|---|---|
| Опубликовано: | Dubna , 1996 |
| Физические характеристики: |
14 p.
|
| Язык: | Английский |
| Серия: |
Prepr.
E14-96-185) |
| Предмет: |
ОФХ отдела книгохранения
| Всего : 1 , доступно: 1 | Доступно Заказать | ||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
|
|||||||||||