Эпитаксиальные слои GaN и многослойные гетероструктуры GaN/AlGaN.Разработка технологии выращивания и исследования свойств: Автореф. дис. на соиск. учен. степ. канд. физ.-мат. наук: 01.04.10 / Рос. акад. наук, Физ.-техн. ин-т им. А.Ф.Иоффе
Guardado en:
| Formato: | |
|---|---|
| Autor principal: | Лундин, В. В. |
| Publicado: | СПб. , 1998 |
| Descripción Física: |
19 с.
|
| Lenguaje: | Русский |
| Materias: |
ОФХ отдела книгохранения
| Всего : 1 , доступно: 1 | Disponible Hacer reserva | ||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
|
|||||||||||