Эпитаксиальные слои GaN и многослойные гетероструктуры GaN/AlGaN.Разработка технологии выращивания и исследования свойств: Автореф. дис. на соиск. учен. степ. канд. физ.-мат. наук: 01.04.10 / Рос. акад. наук, Физ.-техн. ин-т им. А.Ф.Иоффе

Сохранено в:
Шифр документа: 2Ад29395,
Вид документа: Авторефераты диссертаций
Автор: Лундин, В. В.
Опубликовано: СПб. , 1998
Физические характеристики: 19 с.
Язык: Русский
Предмет:

ОФХ отдела книгохранения

Всего : 1 , доступно: 1 Доступно  Заказать

Информация об экземплярах

Шифр Фонд Место нахождения Статус экземпляра Читальный зал
2Ад29395 ОФХ отдела книгохранения (039) 11:4:2:75 СВОБОДЕН Рекомендованный ЧитЗал