Разработка и исследование микросхем высокоэффективных усилителей мощности на базе HEMT GaN-транзисторов: автореферат диссертации на соискание ученой степени кандидата технических наук: специальность 05.27.01 Твердотельная электроника, радиоэлектронные компоненты, микро- и наноэлектроника, приборы на квантовых эффектах / Мьо Мин Тхант
Gespeichert in:
| Format: | |
|---|---|
| 1. Verfasser: | Мьо Мин Тхант |
| Veröffentlicht: | Москва , 2022 |
| Beschreibung: |
26 с. : ил., табл.
|
| Sprache: | Русский |
| Schlagworte: |
ОФХ отдела книгохранения
| Всего : 1 , доступно: 1 | Verfügbar Bestellen | ||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
|
|||||||||||