Разработка и исследование микросхем высокоэффективных усилителей мощности на базе HEMT GaN-транзисторов: автореферат диссертации на соискание ученой степени кандидата технических наук: специальность 05.27.01 Твердотельная электроника, радиоэлектронные компоненты, микро- и наноэлектроника, приборы на квантовых эффектах / Мьо Мин Тхант
Сохранено в:
| Вид документа: | |
|---|---|
| Автор: | Мьо Мин Тхант |
| Опубликовано: | Москва , 2022 |
| Физические характеристики: |
26 с. : ил., табл.
|
| Язык: | Русский |
| Предмет: |
ОФХ отдела книгохранения
| Всего : 1 , доступно: 1 | Доступно Заказать | ||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
|
|||||||||||