Влияние ионного облучения на рекомбинационные процессы в излучающих p-n-гетеропереходах на основе GaAsP [[Микроформа]]: Дис. ... канд. физ.-мат. наук: Утв. 28.03.90: (01.04.10)
Сохранено в:
Вид документа: | |
---|---|
Автор: | Фусик, М. |
Опубликовано: | Одесса , 1989 |
Физические характеристики: |
157 с. : ил.
|
Язык: | Русский |
ОФХ отдела книгохранения
Всего : 1 , доступно: 1 | Доступно Заказать | ||||||||||
---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
|