Исследование условий низкотемпературной эпитаксии твердых растворов Si{н.инд.}(1-x)Ge, (Gl₂){н.инд.}(x)(GaAs){н.инд.}(1-x) и Si-Si{н.инд.}(1-x)Gl{н.инд.}(x)-GaAs(0≤ X Si) структур из раствора-расплава [[Микроформа]]: Дис. ... физ.-мат. наук: (01.04.10)
Сохранено в:
| Вид документа: | |
|---|---|
| Автор: | Сапаев, Б. |
| Опубликовано: | Ташкент , 1990 |
| Физические характеристики: |
131 с.
|
| Язык: | Русский |
| 00000nbm0a22000001id4500 | |||
| 001 | BY-NLB-rr41741500000 | ||
| 005 | 20080219133509.0 | ||
| 100 | # | # | $a 20080219d1990 y0rusy50 ca |
| 101 | 0 | # | $a rus |
| 102 | # | # | $a UZ |
| 200 | 1 | # | $a Исследование условий низкотемпературной эпитаксии твердых растворов Si{н.инд.}(1-x)Ge, (Gl₂){н.инд.}(x)(GaAs){н.инд.}(1-x) и Si-Si{н.инд.}(1-x)Gl{н.инд.}(x)-GaAs(0≤ X Si) структур из раствора-расплава $b [Микроформа] $e Дис. ... физ.-мат. наук $e (01.04.10) |
| 210 | # | # | $a Ташкент $d 1990 |
| 215 | # | # | $a 131 с. |
| 300 | # | # | $a Библиогр.: с. 117-131. - Для служеб. пользования |
| 686 | # | # | $a 01.04.10 $2 oksvnk |
| 700 | # | 1 | $a Сапаев $b Б. |
| 801 | # | 1 | $a BY $b BY-HM0000 $c 20080219 $g psbo |