Исследование условий низкотемпературной эпитаксии твердых растворов Si{н.инд.}(1-x)Ge, (Gl₂){н.инд.}(x)(GaAs){н.инд.}(1-x) и Si-Si{н.инд.}(1-x)Gl{н.инд.}(x)-GaAs(0≤ X Si) структур из раствора-расплава [[Микроформа]]: Дис. ... физ.-мат. наук: (01.04.10)
Сохранено в:
| Вид документа: | |
|---|---|
| Автор: | Сапаев, Б. |
| Опубликовано: | Ташкент , 1990 |
| Физические характеристики: |
131 с.
|
| Язык: | Русский |
ОФХ отдела книгохранения
| Всего : 1 , доступно: 1 | Доступно Заказать | ||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
|
|||||||||||