Влияние дислокаций на рекомбинационные процессы в излучающих P-N-переходах на основе GaР [[Микроформа]]: Дис. ... канд. физ.-мат. наук: (01.04.10)
Сохранено в:
| Вид документа: | |
|---|---|
| Автор: | Наджип Мансоур Ноах |
| Опубликовано: | Одесса , 1991 |
| Физические характеристики: |
128 с. : ил.
|
| Язык: | Русский |
| 00000nbm0a22000001id4500 | |||
| 001 | BY-NLB-rr41567130000 | ||
| 005 | 20080219132139.0 | ||
| 100 | # | # | $a 20080219d1991 y0rusy50 ca |
| 101 | 0 | # | $a rus |
| 102 | # | # | $a UA |
| 200 | 1 | # | $a Влияние дислокаций на рекомбинационные процессы в излучающих P-N-переходах на основе GaР $b [Микроформа] $e Дис. ... канд. физ.-мат. наук $e (01.04.10) |
| 210 | # | # | $a Одесса $d 1991 |
| 215 | # | # | $a 128 с. $c ил. |
| 300 | # | # | $a Библиогр.: с. 117-128 |
| 686 | # | # | $a 01.04.10 $2 oksvnk |
| 700 | # | 1 | $a Наджип Мансоур Ноах |
| 801 | # | 1 | $a BY $b BY-HM0000 $c 20080219 $g psbo |