Влияние дислокаций на рекомбинационные процессы в излучающих P-N-переходах на основе GaР [[Микроформа]]: Дис. ... канд. физ.-мат. наук: (01.04.10)
Сохранено в:
| Вид документа: | |
|---|---|
| Автор: | Наджип Мансоур Ноах |
| Опубликовано: | Одесса , 1991 |
| Физические характеристики: |
128 с. : ил.
|
| Язык: | Русский |
ОФХ отдела книгохранения
| Всего : 1 , доступно: 1 | Доступно Заказать | ||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
|
|||||||||||