Вынужденное излучение в полупроводниковых гетероструктурах InGaAsP/InP с периодическими неоднородностями в условиях оптической накачки [[Микроформа]]: Дис. ... канд. физ.-мат. наук: Утв. 01.02.89: (01.04.10)
Сохранено в:
| Вид документа: | |
|---|---|
| Автор: | Лазутка, А. С. |
| Опубликовано: | Л. , 1986 |
| Физические характеристики: |
157 с. : ил.
|
| Язык: | Русский |
ОФХ отдела книгохранения
| Всего : 1 , доступно: 1 | Доступно Заказать | ||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
|
|||||||||||