Количественная рентгенотопография дефектов и дифрактометрия многослойных эпитаксиальных систем полупроводников A³ B⁵, A² B⁶ и твердых растворов на их основе [[Микроформа]]: Дис. ... д-ра физ.-мат. наук: (01.04.10)
Сохранено в:
| Вид документа: | |
|---|---|
| Автор: | Кузнецов, Г. Ф. |
| Опубликовано: | М. , 1990 |
| Физические характеристики: |
466 с. : ил.
|
| Язык: | Русский |
| 00000nbm0a22000001id4500 | |||
| 001 | BY-NLB-rr41414760000 | ||
| 005 | 20080219124822.0 | ||
| 100 | # | # | $a 20080219d1990 y0rusy50 ca |
| 101 | 0 | # | $a rus |
| 102 | # | # | $a RU |
| 200 | 1 | # | $a Количественная рентгенотопография дефектов и дифрактометрия многослойных эпитаксиальных систем полупроводников A³ B⁵, A² B⁶ и твердых растворов на их основе $b [Микроформа] $e Дис. ... д-ра физ.-мат. наук $e (01.04.10) |
| 210 | # | # | $a М. $d 1990 |
| 215 | # | # | $a 466 с. $c ил. |
| 300 | # | # | $a Библиогр.: с. 410-444 |
| 686 | # | # | $a 01.04.10 $2 oksvnk |
| 700 | # | 1 | $a Кузнецов $b Г. Ф. $g Григорий Федотович |
| 801 | # | 1 | $a BY $b BY-HM0000 $c 20080219 $g psbo |