Исследование особенностей излучательной рекомбинации в гетероструктурах InGaAsP/GaAs с тонкими активными областями [[Микроформа]]: Дис. ... канд. физ.-мат. наук: Утв. 04.05.88: (01.04.10)
Сохранено в:
| Вид документа: | |
|---|---|
| Автор: | Красовский, В. В. |
| Опубликовано: | Л. , 1987 |
| Физические характеристики: |
163 с. : ил.
|
| Язык: | Русский |
| 00000nbm0a22000001id4500 | |||
| 001 | BY-NLB-rr41400820000 | ||
| 005 | 20080219120534.0 | ||
| 100 | # | # | $a 20080219d1987 y0rusy50 ca |
| 101 | 0 | # | $a rus |
| 102 | # | # | $a RU |
| 200 | 1 | # | $a Исследование особенностей излучательной рекомбинации в гетероструктурах InGaAsP/GaAs с тонкими активными областями $b [Микроформа] $e Дис. ... канд. физ.-мат. наук $e Утв. 04.05.88 $e (01.04.10) |
| 210 | # | # | $a Л. $d 1987 |
| 215 | # | # | $a 163 с. $c ил. |
| 300 | # | # | $a Библиогр.: с. 148-163 |
| 686 | # | # | $a 01.04.10 $2 oksvnk |
| 700 | # | 1 | $a Красовский $b В. В. $g Василий Васильевич |
| 801 | # | 1 | $a BY $b BY-HM0000 $c 20080219 $g psbo |