Исследование особенностей излучательной рекомбинации в гетероструктурах InGaAsP/GaAs с тонкими активными областями [[Микроформа]]: Дис. ... канд. физ.-мат. наук: Утв. 04.05.88: (01.04.10)
Сохранено в:
| Вид документа: | |
|---|---|
| Автор: | Красовский, В. В. |
| Опубликовано: | Л. , 1987 |
| Физические характеристики: |
163 с. : ил.
|
| Язык: | Русский |
ОФХ отдела книгохранения
| Всего : 1 , доступно: 1 | Доступно Заказать | ||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
|
|||||||||||