Исследование процессов кристаллизации полупроводниковых соединений A³B⁵ на основе принципов искусственной эпитаксии [[Микроформа]]: Дис. ... канд. физ.-мат. наук: Утв. 06.05.87: (01.04.18)
Сохранено в:
| Вид документа: | |
|---|---|
| Автор: | Ершов, В. И. |
| Опубликовано: | М. , 1986 |
| Физические характеристики: |
120 с. : ил.
|
| Язык: | Русский |
| Предмет: |
| 00000cbm0a22000001id4500 | |||
| 001 | BY-NLB-rr41237260000 | ||
| 005 | 20220225084537.0 | ||
| 100 | # | # | $a 20080219d1986 y0rusy50 ||||ca |
| 101 | 0 | # | $a rus |
| 102 | # | # | $a RU |
| 200 | 1 | # | $a Исследование процессов кристаллизации полупроводниковых соединений A³B⁵ на основе принципов искусственной эпитаксии $b [Микроформа] $e Дис. ... канд. физ.-мат. наук $e Утв. 06.05.87 $e (01.04.18) |
| 210 | # | # | $a М. $d 1986 |
| 215 | # | # | $a 120 с. $c ил. |
| 300 | # | # | $a Библиогр.: с. 113-120 |
| 606 | 0 | # | $3 BY-NLB-ar14181336 $a ГРАФОЭПИТАКСИЯ $2 DVNLB |
| 686 | # | # | $a 01.04.18 $2 oksvnk |
| 700 | # | 1 | $a Ершов $b В. И. $g Владимир Ильич |
| 801 | # | 1 | $a BY $b BY-HM0000 $c 20080219 $g psbo |