Исследование процессов кристаллизации полупроводниковых соединений A³B⁵ на основе принципов искусственной эпитаксии [[Микроформа]]: Дис. ... канд. физ.-мат. наук: Утв. 06.05.87: (01.04.18)
Сохранено в:
Вид документа: | |
---|---|
Автор: | Ершов, В. И. |
Опубликовано: | М. , 1986 |
Физические характеристики: |
120 с. : ил.
|
Язык: | Русский |
Предмет: |
ОФХ отдела книгохранения
Всего : 1 , доступно: 1 | Доступно Заказать | ||||||||||
---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
|