Электрические свойства твердых растворов Ga₂Te₃-HgTe в области перехода полупроводник-полуметалл [[Микроформа]]: Дис. ... канд. физ.-мат. наук: Утв. 18.10.89: (01.04.10)

Сохранено в:
Шифр документа: 04890015573,
Вид документа: Диссертации
Автор: Гассан, С. А.
Опубликовано: Минск , 1989
Физические характеристики: 108 с. : ил.
Язык: Русский
00000nbm0a22000001id4500
001 BY-NLB-rr41128740000
005 20140827121546.8
100 # # $a 20080219d1989 y0rusy50 ca 
101 0 # $a rus 
102 # # $a BY 
200 1 # $a Электрические свойства твердых растворов Ga₂Te₃-HgTe в области перехода полупроводник-полуметалл  $b [Микроформа]  $e Дис. ... канд. физ.-мат. наук  $e Утв. 18.10.89  $e (01.04.10) 
210 # # $a Минск  $d 1989 
215 # # $a 108 с.  $c ил. 
300 # # $a Библиогр.: с. 102-108 
615 # # $a Белорусский национальный документ 
686 # # $a 01.04.10  $2 oksvnk 
700 # 1 $a Гассан  $b С. А.  $g Салем Абдулла 
801 # 1 $a BY  $b BY-HM0000  $c 20080219  $g psbo