
Электрические свойства твердых растворов Ga₂Te₃-HgTe в области перехода полупроводник-полуметалл [[Микроформа]]: Дис. ... канд. физ.-мат. наук: Утв. 18.10.89: (01.04.10)
Gespeichert in:
Format: | |
---|---|
1. Verfasser: | Гассан, С. А. |
Veröffentlicht: | Минск , 1989 |
Beschreibung: |
108 с. : ил.
|
Sprache: | Русский |
ОФХ отдела книгохранения
Всего : 1 , доступно: 1 | Verfügbar Bestellen | ||||||||||
---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
|