Исследование физико-химических процессов анизотропного и селективного по степени легирования травления кремния и их применение в технологии микроэлектроники: Автореф. дис. на соиск. учен. степ. канд. техн. наук: (05.12.18)
Enregistré dans:
| Format: | |
|---|---|
| Auteur principal: | Вишнева, Т. И. |
| Publié: | М. , 1979 |
| Description matérielle: |
23 с.
|
| Langue: | Русский |
| 00000nam0a22000001ia4500 | |||
| 001 | BY-NLB-rr38789560000 | ||
| 005 | 20071022191612.0 | ||
| 100 | # | # | $a 20071022d1979 y0rusy50 ca |
| 101 | 0 | # | $a rus |
| 102 | # | # | $a RU |
| 200 | 1 | # | $a Исследование физико-химических процессов анизотропного и селективного по степени легирования травления кремния и их применение в технологии микроэлектроники $e Автореф. дис. на соиск. учен. степ. канд. техн. наук $e (05.12.18) |
| 210 | # | # | $a М. $d 1979 |
| 215 | # | # | $a 23 с. |
| 300 | # | # | $a В надзаг.: Моск. ин-т электроники. Библиогр.: с. 21-22 (9 назв.). Для служеб. пользования |
| 686 | # | # | $a 05.12.18 $2 oksvnk |
| 700 | # | 1 | $a Вишнева $b Т. И. $g Татьяна Ивановна |
| 801 | # | 1 | $a BY $b BY-HM0000 $c 20071022 $g psbo |