Технология получения и параметры инфракрасных и видимых лазеров на основе InGaAsp/ GaAs и InGaAsP/GaAs P ДГ и РО ДГС структур: Автореф. дис. на соиск. учен. степ. канд. техн. наук: (01.04.10) / АН СССР, Физико-техн. ин-т им. А. Ф. Иоффе

Сохранено в:
Шифр документа: 121958/90СК,
Вид документа: Авторефераты диссертаций
Автор: Вавилова, Л. С.
Опубликовано: Л. , 1990
Физические характеристики: 15 с.
Язык: Русский
00000nam0a22000001ia4500
001 BY-NLB-rr38296900000
005 20071004161856.0
100 # # $a 20071004d1990 y0rusy50 ca 
101 0 # $a rus 
102 # # $a RU 
200 1 # $a Технология получения и параметры инфракрасных и видимых лазеров на основе InGaAsp/ GaAs и InGaAsP/GaAs P ДГ и РО ДГС структур  $e Автореф. дис. на соиск. учен. степ. канд. техн. наук  $e (01.04.10)  $f АН СССР, Физико-техн. ин-т им. А. Ф. Иоффе 
210 # # $a Л.  $d 1990 
215 # # $a 15 с. 
300 # # $a Библиогр.: с. 14-15 (13 назв.). Для служеб. пользования 
686 # # $a 01.04.10  $2 oksvnk 
700 # 1 $a Вавилова  $b Л. С.  $g Людмила Сергеевна 
801 # 1 $a BY  $b BY-HM0000  $c 20071004  $g psbo