Технология получения и параметры инфракрасных и видимых лазеров на основе InGaAsp/ GaAs и InGaAsP/GaAs P ДГ и РО ДГС структур: Автореф. дис. на соиск. учен. степ. канд. техн. наук: (01.04.10) / АН СССР, Физико-техн. ин-т им. А. Ф. Иоффе
Сохранено в:
| Вид документа: | |
|---|---|
| Автор: | Вавилова, Л. С. |
| Опубликовано: | Л. , 1990 |
| Физические характеристики: |
15 с.
|
| Язык: | Русский |
ОФХ отдела книгохранения
| Всего : 1 , доступно: 1 | Доступно Заказать | ||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
|
|||||||||||