Исследование электрических и фотоэлектрических свойств поверхностно-барьерных структур на основе CdIn₂S₄: (01.04.10): Автореф. дис. на соиск. учен. степени канд. физ.-мат. наук / АН МССР. Ин-т прикл. физики
Сохранено в:
| Вид документа: | |
|---|---|
| Автор: | Булярский, С. В. |
| Опубликовано: | Кишинев , 1976 |
| Физические характеристики: |
13 с.
|
| Язык: | Русский |
| 00000nam0a22000001ia4500 | |||
| 001 | BY-NLB-rr38115300000 | ||
| 005 | 20071004153330.0 | ||
| 021 | # | # | $a RU $b [76-11627а] |
| 100 | # | # | $a 20071004d1976 y0rusy50 ca |
| 101 | 0 | # | $a rus |
| 102 | # | # | $a MD |
| 200 | 1 | # | $a Исследование электрических и фотоэлектрических свойств поверхностно-барьерных структур на основе CdIn₂S₄ $e (01.04.10) $e Автореф. дис. на соиск. учен. степени канд. физ.-мат. наук $f АН МССР. Ин-т прикл. физики |
| 210 | # | # | $a Кишинев $d 1976 |
| 215 | # | # | $a 13 с. |
| 300 | # | # | $a Список работ авт. в конце текста (9 назв.) |
| 686 | # | # | $a 01.04.10 $2 oksvnk |
| 700 | # | 1 | $a Булярский $b С. В. $g Сергей Викторович |
| 801 | # | 1 | $a BY $b BY-HM0000 $c 20071004 $g psbo |